半导体元件及其制备方法.pdfVIP

半导体元件及其制备方法.pdf

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本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、二导电特征以及一多孔中间层，该二导电特征相互远离设置并位在该基底上，该多孔中间层位在该二导电特征之间，并邻近该二导电特征设置。该多孔中间层的一孔隙率介于25％到100％之间。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113161352 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 202011517348.X (22)申请日 2020.12.21 (30)优先权数据 16/751,16

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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