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功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法.pdfVIP

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法.pdf

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    本发明公开了一种SiC功率半导体器件，其包括：包括SiC和金属化层的功率半导体管芯，其中，金属化层包括第一金属；管芯载体，其中，功率半导体管芯布置在管芯载体之上，使得金属化层面对管芯载体，管芯载体至少部分地由包括Ni的镀覆部覆盖；以及第一金属间化合物，该第一金属间化合物布置在功率半导体管芯和镀覆部之间并且包括Ni3Sn4。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113140537 A (43)申请公布日 2021.07.20 (21)申请号 202110053182.9 H01L 21/603 (2006.01) (22)申请日

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