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本公开提供了第一晶圆，该第一晶圆包括第一衬底、覆盖在该第一衬底上面的第一半导体器件以及覆盖在该第一半导体器件上面的第一介电材料层。牺牲材料层形成在包括第二衬底的第二晶圆的顶表面上方。第二半导体器件和第二介电材料层形成在该牺牲材料层的顶表面上方。该第二晶圆附接到该第一晶圆，使得该第二介电材料层面向该第一介电材料层。多个空隙穿过该第二衬底形成。通过提供蚀刻剂来移除该牺牲材料层，该蚀刻剂通过该多个空隙来蚀刻该牺牲材料层的材料。在移除该牺牲材料层时，该衬底与包括该第一晶圆、该第二半导体器件和该第二介电材
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113169177 A
(43)申请公布日 2021.07.23
(21)申请号 201980078021.6 (74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理
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