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本文提供了一种方法,包括:等离子体接触步骤,该等离子体接触步骤包括向腔室中供给包含反应物气体的处理气体,通过施加高频功率从处理气体中包含的反应物组分生成等离子体来活化所述反应物组分,使包含活化的反应物组分的处理气体与基板的表面接触,其中在所述等离子体接触步骤中,通过进行将高频功率增加至第二功率水平并将处理气体逐渐降低至第二浓度及将高频功率逐渐增加至第二功率水平中的至少之一,将第一等离子体生成条件改变为第二等离子体生成条件,并且异常放电得到抑制,其中在第一等离子体生成条件中,在供给第一浓度的处理气
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113136565 A
(43)申请公布日 2021.07.20
(21)申请号 202110060635.0 C23C 16/34 (2006.01)
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