一种红外热电堆传感器、芯片及其制备方法.pdfVIP

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本发明实施例公开了一种红外热电堆传感器、芯片及其制备方法,红外热电堆传感器包括第一区域以及围绕第一区域的第二区域,第一区域设置有悬空膜;位于悬空膜一侧且位于第一区域的多个加热电阻,位于悬空膜一侧且部分位于第一区域的多个热电堆结构;加热电阻上传输有加热电压信号,加热电阻用于在加热电压信号作用下发热;热电堆结构包括热端和冷端,热端位于第一区域,冷端位于第二区域,加热电阻的发热温度大于冷端温度。通过设置多个加热电阻,加热电阻的发热温度远大于相对于外部环境温度确定的冷端温度,以实现红外热电堆传感器在受到

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113104805 A (43)申请公布日 2021.07.13 (21)申请号 202110389656.7 (22)申请日 2021.04.12 (71)申请人 上海

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