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2023-06-14 发布于四川
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一种用于氮化镓晶体生长的压力控制系统.pdf

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本发明公开了一种用于氮化镓晶体生长的压力控制系统，包括台板以及支板，所述台板设置于支板上方，所述台板上设置有炉腔，所述炉腔的上端固定连接有石英管，所述炉腔的两侧对称设置有抽气管，所述抽气管的一端连接有过滤腔，本发明从石英管上部进入工艺气体，气流方向为上进气下出气，气体流动方向与晶体生长方向、热场热量扰动方向相反，保证了晶体生长过程中的控制需求，同时利用薄膜规反馈的压力信号控制抽气压控组件进行炉腔内的气体压力调节，实现控制石英管内晶体生长所需压力的目的，结构简单，安全可靠，控压精度高，保证了晶体生

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113106543 A (43)申请公布日 2021.07.13 (21)申请号 202110397820.9 (22)申请日 2021.04.14 (71)申请人沈阳中科汉达科技有限公司

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