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半导体器件及其制造方法.pdfVIP

半导体器件及其制造方法.pdf

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    本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。在半导体器件的制造方法中，在衬底上方提供半导体层，半导体层垂直地布置有位于相邻的半导体层之间的空间；形成围绕每个半导体层的界面层；在围绕每个半导体层的界面层上形成介电层；在介电层上形成第一导电层；去除第一导电层以暴露介电层；在暴露的介电层上形成第二导电层，使得相邻的半导体层之间的空间不被第二导电层完全填充；在第二导电层上形成第三导电层，使得相邻的半导体层之间的空间被第三导电层填充，其中：半导体层是半导体线或片。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130655 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202011632302.2 H01L 29/423 (2006.01) (22)申请日

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