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冷却功率模块的制作工艺.pdfVIP

冷却功率模块的制作工艺.pdf

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    本发明公开了一种功率冷却模块的制作工艺，所述制作工艺包括：S1：烧结步骤，烧结步骤包括：同时进行的下基板与芯片烧结、上基板与支撑件烧结；S2：焊接步骤，焊接步骤包括：将支撑件与芯片焊接；S3：封装步骤，封装步骤适于将上基板、下基板、支撑件以及芯片封装。由此，一方面，可以降低冷却功率模块的制作周期，以提高生产效率；另一方面，通过支撑件与芯片的焊接替代现有技术中的支撑件与芯片的烧结，不仅降低了一道烧结工序，且焊接工序的成本远低于烧结工序，可以有效地降低成本，而且取消支撑件与芯片之间的烧结工序后，无需

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113140472 A (43)申请公布日 2021.07.20 (21)申请号 20201

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