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本发明提供一种优化晶圆级封装可靠性优化方法，根据封装结构的初始结构尺寸和焊点材料仿真获得结构的初始热疲劳寿命；选取影响封装结构所述疲劳寿命的因素，并制定合适的正交表格；将各个因素的最优组合仿真后获得所述热疲劳寿命，将优化结构的所述热疲劳寿命与初始结构所述热疲劳寿命进行对比，发现所述热疲劳寿命有明显增加，封装结构的可靠性得到优化。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113128171 A
(43)申请公布日 2021.07.16
(21)申请号 202110409577.8 H05K 1/11 (2006.01)
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