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半导体结构的制作方法和半导体结构.pdfVIP

半导体结构的制作方法和半导体结构.pdf

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    本申请公开一种半导体结构的制作方法和半导体结构，该半导体结构的制作方法包括：提供衬底，在衬底上形成第一牺牲层，所述第一牺牲层包括堆叠的第一牺牲介质层和第二牺牲介质层；图案化第一牺牲层，形成沿第一方向间隔分布的第一中间图案结构，各第一中间图案结构之间具有第一间隙；在第一间隙中形成第一间隔衬垫层，所述第一间隔衬垫层覆盖第一中间图案结构的侧壁和第一间隙的底部；去除第一间隙底部的第一间隔衬垫层以及第二牺牲介质层；去除第一牺牲介质层，形成第一图案结构。相较于现有技术，利用本申请公开的制作方法及制作的半导体

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113130751 B (45)授权公告日 2022.07.22 (21)申请号 202110229753.X (56)对比文件

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