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本发明提供了一种一体型大尺寸平面靶材的制备方法,所述制备方法先将两块厚度较小的第一靶坯与第二靶坯组合装配,所述第一靶坯与所述第二靶坯的直径相等且均为500‑600mm,再依次进行脱气处理、热等静压处理、电子束焊接以及机加工,得到一体型大尺寸平面靶材,不仅打破了熔炼炉容量有限以及TMP工艺的双重限制,并且所得一体型大尺寸平面靶材具有结构均匀、晶粒细小、连接强度高、外观色泽均一的优点,符合半导体领域的溅射要求。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113106402 A
(43)申请公布日 2021.07.13
(21)申请号 202110420206.X
(22)申请日 2021.04.19
(71)申请人 宁波江丰电子材料股份有限公司
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