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2023-06-14 发布于四川
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本公开涉及一种增强晶片级封装的性能的封装工艺。所公开的封装包含多个模制化合物(26、34、42)、多层重布结构，以及具有装置层和所述装置层下方的裸片凸块(30)的经薄化裸片(10T)。所述多层重布结构包含在所述多层重布结构的底部处的封装接触件(50)以及将所述裸片凸块连接到所述封装接触件的重布互连件(46)。第一模制化合物(26)驻留于所述经薄化裸片周围以囊封所述经薄化裸片的侧壁，且延伸超出所述经薄化裸片的顶部表面以界定所述经薄化裸片上方的开口。第二模制化合物(34)驻留于所述多层重布结构与所述

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113169081 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980079375.2 (74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限

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