化学机械抛光后清洁组合物.pdfVIP

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本发明提供一种用于从上面有氧化铈粒子和化学机械抛光(CMP)后污染物的微电子装置清洁所述污染物和粒子的去除组合物和方法。所述组合物实现从所述微电子装置的表面高度有效去除所述氧化铈粒子和CMP副产物污染物材料而不损害低k介电材料、氮化硅材料或含钨材料。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113166684 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980079664.2 (74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限

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