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在存储器设备中的编程操作的编程恢复阶段期间抑制编程干扰。当编程干扰的风险由于诸如温度、选定字线的位置、编程‑擦除循环的数量和编程脉冲量值的因素而更大时,可增大恢复阶段的持续时间。在其他方法中,通过相对于源极侧字线的电压的斜降提供漏极侧字线的电压的早期斜降、相对于选择栅极电压的斜降提供被抑制NAND串的位线电压的早期斜降、或者相对于漏极侧字线的恢复电压为源极侧字线设置较低的恢复电压,来降低编程干扰的风险。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113168877 A
(43)申请公布日 2021.07.23
(21)申请号 201980079750.3 (74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理
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