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量子点发光二极管及其制备方法.pdfVIP

量子点发光二极管及其制备方法.pdf

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    本发明提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供底电极基板，在所述底电极基板的底电极表面形成第一纳米柱结构；在所述第一纳米柱结构表面结合含有初始配体的量子点，采用目标配体对所述表面结合有初始配体的量子点进行配体交换，制备得到结合有目标配体的量子点薄膜。本发明提供的量子点发光二极管的制备方法，可以得到兼具良好的分散性和电荷注入传输能力的量子点薄膜。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113130837 B (45)授权公告日 2022.06.21 (21)申请号 201911423750.9 (56)对比文件

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