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本发明公开了一种铜纳米结构的制备方法,选取基底,利用真空热蒸镀法在基底上蒸镀作为阳极的第一薄膜、以及作为阴极的第二薄膜;其中,第一薄膜和第二薄膜间隔设置,且材质均为金/银;在具有第一薄膜和第二薄膜的基底上蒸镀快离子导体薄膜;其中,快离子导体薄膜中含有铜,且快离子导体薄膜为连通的整体膜,整体膜同时覆盖于第一薄膜和第二薄膜上;为阳极和阴极通电,达到预定时间后,在阴极上得到铜纳米结构;本发明采用固态离子学法,采用RbCu4Cl3I2快离子导体薄膜,并利用不同于快离子导体薄膜的金属(金、银)作为电极,在
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113122811 A
(43)申请公布日 2021.07.16
(21)申请号 202110415899.3 C23C 14/58 (2006.01)
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