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本发明公开了一种单面或双面太阳能电池图形化掩膜和太阳能电池的制备方法，包括如下工序：S1、在单面或双面太阳能电池基底的导电金属层上制备至少一层不导电的绝缘掩膜层；S2、在绝缘掩膜层的正面及背面两面，采用激光将导电金属层待电镀区域上的绝缘掩膜层去除，以露出下方的金属导电层，形成图形化掩膜。通过本发明的制备方法在单面或双面太阳能电池上制作电镀掩膜，不仅较现有曝光显影工艺流程更加简单，除了能缩短工时和降低生产成本外，还能没有显影与光阻去除等废液排放污染的问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113140644 A
(43)申请公布日 2021.07.20
(21)申请号 202110435512.0 H01L 21/033 (2006.01)
(22)申请日
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