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半导体结构的形成方法.pdfVIP

半导体结构的形成方法.pdf

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    一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成初始图形层；对初始图形层的侧壁进行一次或多次原子层刻蚀处理，形成图形层，原子层刻蚀处理的步骤包括：在初始图形层的侧壁上形成有机物层；去除有机物层。通常初始图形层侧壁最表面的原子与内层原子的键能小于内层原子之间的键能，有机物层通常带有能与初始图形层侧壁反应的元素，使得初始图形层侧壁最表面的原子与内层原子的键能进一步的减小，在去除有机物层的过程中，能够剥离初始图形层侧壁最表面的原子，如此，经过多次原子层刻蚀处理后，初始图形层侧壁上的凸出区

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113140458 A (43)申请公布日 2021.07.20 (21)申请号 20201

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