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本发明公开了一种功率集成二极管及其制造方法，包括高压慢恢复二极管、多晶硅二极管和多晶硅电阻，该发明中：功率集成二极管中的阻尼电阻Rdamp能使震荡进行衰减，改善了EMI性能；并联二级管Dclp_2能提升电路效率，且对Mosfet上的尖峰脉冲进行更好嵌位；各P型区均由P‑区和P+区组成以及外延层采用双层外延，使器件反向恢复时间trr进一步增大；终端区P型场限环与有源区P型区同时制造减小了光刻次数，节省了制造成本；中低压多晶硅二极管的P型区与高压慢恢复二极管的P区同时制造，且该多晶硅二极管的P型注入
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113140559 A
(43)申请公布日 2021.07.20
(21)申请号 202110542357.2
(22)申请日 2021.05.18
(71)申请人 无锡昌德微电子股份有限公司
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