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2023-06-14 发布于四川
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一种生长低碳包裹物大尺寸高纯单晶的装置及方法.pdf

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一种生长低碳包裹物大尺寸高纯单晶的装置及方法，在坩埚内壁使用三层隔离层，与坩埚壁接触层为铼(Re)金属，该层可避免保护层碳化失效。中间层为过渡元素(Ta,Zr,Ti,Nb,Os,W,Mo,Y)碳化物的一种，该层可吸附多余碳(C)源。与料源接触的最外层用钇(Y)金属，可除去氮原子及后续产生的过量的C。该生长方法在低温阶段慢速升温并反复抽真空，随即升压快速升温到生长温度，在生长恒温上半段控制氩气流量及压力。通过降低埚位，使高温位从料源底部移到料源上部。下半段生长前，升压降温反复抽真空，生长下半段维持

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113122921 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202010502356.0 (22)申请日 2020.06.05 (71)申请人北京

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