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在介电阻挡壁之间包含直通阵列接触通孔结构的三维存储器器件及其制造方法.pdfVIP

在介电阻挡壁之间包含直通阵列接触通孔结构的三维存储器器件及其制造方法.pdf

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    在半导体衬底上方形成绝缘层和牺牲材料层的交替层叠堆，并且通过该竖直交替层叠堆形成存储器堆叠结构。在形成背侧沟槽的同时，通过该交替堆叠形成一对未连接的阻挡沟槽或壕沟沟槽。通过在介电衬垫覆盖阻挡沟槽或壕沟沟槽的同时对绝缘层选择性地各向同性蚀刻牺牲材料层来形成背侧凹陷部。绝缘板和介电间隔物板的竖直交替序列设置在一对阻挡沟槽之间或壕沟沟槽内部。在该背侧凹陷部中形成导电层。通过该竖直交替序列形成第一导电通孔结构，同时通过与该交替堆叠相邻的介电材料部分形成第二导电通孔结构。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113169118 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980081011.8 (74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理

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