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2023-06-14 发布于四川
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半导体存储器装置及其制造方法.pdf

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半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置包括：堆叠结构，其在联接区域中包括在第一基板上方与多个第二介电层交替堆叠的多个第一介电层，并且在所述联接区域外部包括在所述第一基板上方与所述多个第一介电层交替堆叠的多个电极层；以及多个通孔，所述多个通孔在垂直于所述第一基板的顶表面的第一方向上穿过所述堆叠结构，并且设置在所述联接区域的边缘处以限定蚀刻阻挡部。所述多个通孔中的每一个包括：柱部分，其在所述第一方向上延伸；以及多个延伸部分，所述多个延伸部分从所述柱部分的外周径向延伸并且平行于所述第一基板

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130499 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202010690540.2 H01L 27/11556 (2017.01)

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