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本发明公开了一种半导体晶片氧化炉，属于半导体生产技术领域。一种半导体晶片氧化炉，包括第一安装箱，所第一安装箱内开设有第一安装腔、第二安装腔和第三安装腔，所述第一安装腔内固定连接有氧化箱，所述氧化箱内滑动连接有放置板，所述氧化箱的输出端固定连接有第一气管，所述第一气管的输出端固定连接有分流箱，所述第二安装腔内固定连接有第二安装箱；本发明通过对氩气进行回收，从而防止氩气飘散到外部造成浪费，从而节省半导体晶片氧化的成本，且防止因外部空气中氩气浓度较高导致工作人员窒息，从而保证工作人员的生命安全。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113175817 A
(43)申请公布日 2021.07.27
(21)申请号 202110455575.2
(22)申请日 2021.04.26
(71)申请人 高兵
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