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2023-06-15 发布于四川
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分裂栅沟槽功率器件的制造方法.pdf

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本发明提供了一种分裂栅沟槽功率器件的制造方法，包括提供衬底，所述衬底中形成有第一沟槽，所述第一沟槽内形成有分裂栅和介质层，所述介质层覆盖所述衬底、环绕所述分裂栅并填满所述第一沟槽；执行第一干法刻蚀工艺以去除部分所述介质层；以及，执行第二干法刻蚀工艺，继续去除部分所述介质层以形成第二沟槽，所述第二沟槽的侧壁与底壁的夹角为钝角。第二干法刻蚀工艺采用低电容耦合功率，以在第二干法刻蚀工艺中减轻垂直方向上所述介质层的刻蚀量，并且在第二干法刻蚀工艺引入刻蚀气体CO，增加所述第二干法刻蚀工艺过程中的聚合物，以

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113192825 A (43)申请公布日 2021.07.30 (21)申请号 202110453510.4 (22)申请日 2021.04.26 (71)申请人广州粤芯半导体技术有限公司

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