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2023-06-15 发布于四川
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本发明公开了一种存储器件及其制造方法。根据本发明实施例的存储器件的制造方法包括在衬底上形成底部叠层结构，底部叠层结构包括至少一层隔离层和至少一层牺牲层；对底部叠层结构和衬底进行刻蚀，形成第一沟道孔；在底部叠层结构上形成牺牲叠层结构；牺牲叠层结构包括交替堆叠的第三牺牲层和第三隔离层；对牺牲叠层结构进行刻蚀，形成第二沟道孔，第二沟道孔与第一沟道孔相连通；在第一沟道孔和第二沟道孔中形成沟道柱；以及将至少一层牺牲层和第三牺牲层替换为栅极导体，得到堆叠在衬底上方的第一叠层结构和第二叠层结构。根据本发明实施

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113192962 B (45)授权公告日 2022.05.06 (21)申请号 202110197926.4 H01L 27/11524 (2017.01)

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