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公开了一种垂直碳化硅功率MOSFET,其具有作为漏极的n+型4H‑SiC衬底和外延地生长在4H‑SiC衬底上的充当漂移区的n‑型4H‑SiC外延层、以及注入漂移区中的p++型源极区、p型阱区、p型沟道区和n++型接触区、以及通过栅氧化层与源极和漂移区绝缘的金属栅极。在4H‑SiC外延层与栅氧化层之间的界面处提供垂直厚度在0.1nm至50nm范围内(示例性地在0.5nm至10nm范围内)的高迁移率层。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113196499 B
(45)授权公告日 2022.05.03
(21)申请号 201980080450.7 (74)专利代理机构 北京市汉坤律师事务所
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