光电人工突触的制备方法以及光电人工突触.pdfVIP

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2023-06-15 发布于四川
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光电人工突触的制备方法以及光电人工突触.pdf

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本发明提供了一种光电人工突触的制备方法，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底上制作具有沟道功能区的图形电极；在所述衬底表面制作覆盖所述图形电极的有机半导体光响应功能层；在所述光响应功能层表面制备铁电极化调控层；退火后获得人工突触。本发明人工突触的实现基于铁电极化的多级调控与有机光电半导体的光电响应。利用滴涂法获得高质量面内极化铁电薄膜构建平面多层结构。与依赖导电细丝与离子掺杂的其他忆阻器人工突触相比具有操作电压低、保持特性好、制备工艺简便可控等优势。本发明可模拟重要的突触功能，对光刺激响应快，能

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113161494 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 202110440689.X (22)申请日 2021.04.23 (71)申请人光华

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