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本发明公开了一种基于GaAsHEMT工艺的电源调制器，包括施密特触发器、电阻负载型反相器、晶体管fet4、晶体管dfet1、电阻RL，施密特触发器的输出端连接至电阻负载型反相器的输入端，所述电阻负载型反相器的输出端连接至晶体管fet4的栅极，晶体管fet4的源极经电阻RL接电源输入负端VSS；晶体管fet4的漏极连接晶体管dfet1的源极，晶体管dfet1的漏极连接电源输入正端VDD；晶体管dfet1的栅极连接输出电源调整端ADJ；晶体管fet4的源极连接电源输出端OUT。本发明的优点在于：电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113162389 A
(43)申请公布日 2021.07.23
(21)申请号 202110541507.8
(22)申请日 2021.05.18
(71)申请人 芜湖麦可威电磁科技有限公司
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