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使用自由层交换钉扎的大场范围TMR传感器.pdfVIP

使用自由层交换钉扎的大场范围TMR传感器.pdf

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    本发明提供了一种制造处于惠斯通配置的基于TMR的磁传感器的方法，该方法包括进行磁隧道结(MTJ)的第一退火以及进行MTJ的第二退火。MTJ包括第一反铁磁(AFM)钉扎层、在该第一AFM钉扎层上方的钉扎层、在该钉扎层上方的反并联耦合层、在该反并联耦合层上方的参考层、在该参考层上方的势垒层、在该势垒层上方的自由层以及在该自由层上方的第二反铁磁钉扎层。MTJ的第一退火将第一AFM钉扎层、钉扎层、自由层和第二AFM钉扎层设置在第一磁化方向上。MTJ的第二退火将自由层和第二AFM钉扎层重置在第二磁化方向上

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113196077 A (43)申请公布日 2021.07.30 (21)申请号 202080006973.X (74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理

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