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本发明涉及一种薄电容耦合晶闸管及薄电容耦合晶闸管的制备方法，薄电容耦合晶闸管包括：衬底；衬底上包括依次连接的阳极区、n基区、p基区、阴极区；所述P基区为纳米片堆栈部，所述纳米堆栈部形成多个导电沟道，纳米片堆栈部包括；纳米片形成的叠层及位于相邻纳米片之间的支撑结构，支撑结构是第一半导体形成的，纳米片是第二半导体形成的；所述纳米片的宽度大于支撑结构的宽度；环绕式栅极，其环绕于纳米堆栈部周围。薄电容耦合晶体管(TCCT)展现出了明显的开关特性，基于体硅的FishboneFET设计可以结合TCCT的设
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113178484 A
(43)申请公布日 2021.07.27
(21)申请号 202110232823.7
(22)申请日 2021.03.03
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
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