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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    一种半导体结构包括：半导体层的堆叠件，设置在衬底上方；金属栅极堆叠件，具有设置在半导体层的堆叠件上方的顶部部分和与半导体层的堆叠件交错的底部部分；内部间隔件，设置在金属栅极堆叠件的底部部分的侧壁上；气隙，被包围在内部间隔件层中；以及外延源极/漏极(S/D)部件，设置在内部间隔件层上方并与金属栅极堆叠件相邻。本申请的实施例还提供了半导体结构的形成方法。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113192888 A (43)申请公布日 2021.07.30 (21)申请号 202110120471.6 H01L 27/088 (2006.01)

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