一种增强型GaN HEMT环形栅下刻蚀器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-15 发布于四川
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一种增强型GaN HEMT环形栅下刻蚀器件及其制备方法.pdf

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一种增强型GaNHEMT环形栅下刻蚀器件属于半导体微电子领域。器件共分为10个区域，分别为为源极开孔区域、漏极开孔区域、栅极开孔区域，源电极，源电极处刻蚀的凹槽，刻蚀后剩余的栅下P‑GaN,环形栅电极，漏电极处刻蚀的凹槽，漏电极，SiO2保护层。器件隔离刻蚀厚度为350nm,本发明是将传统的GaNHEMT器件进行结构改进，设计了环形栅以及源漏下刻蚀相结合的结构，使得器件的导通电阻得以降低，欧姆接触性能提高，同时也提高了器件的击穿特性，使得器件避免边缘效应而发生击穿，改善了功率型开关器件的性能

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113161239 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 202110403835.1 (22)申请日 2021.04.15 (71)申请人北京工业大学地址

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