集成电路制造技术-原理与工艺 教学日历.doc

PAGE 1 - PAGE 4 - 教 学 日 历 课程名称 集成电路制造技术-原理与工艺 授课日期 20 年 秋季 学期 授课教师 适用班级 20 年 月 日 20 年秋季学期教学日历 课程名称 集成电路制造技术-原理与工艺 授课学时 40 授课班级 教 材 参考书 1.王蔚等，集成电路制造技术—原理与工艺 ，电子工业出版社，2016； 2.关旭东，硅集成电路工艺基础，北京大学出版社，2003； 3.Stephen A. C，微电子制造科学原理与工程技术，电子工业出版社，2003 序号 授课 日期 授课学时 授课方式 授课内容 教材 页数 1 2 3 4 5 9、14 9、18 9、21 9、25 9、28 2 2 2 2 2 讲课 讲课 讲课 讲课 讲课 绪论 微电子业在国民经济中的地位；工艺发展概况、 特点、发展趋势；及本课程主要讲授内容 第1章 单晶硅结构及制备 1.1 硅晶体的结构特点 1.2硅晶体缺陷 1.3 硅中杂质 第2章 硅片的制备 2.1 多晶硅的制备 2.2 硅单晶的生长 直拉法设备；悬浮区熔法硅片制造 2.3 切制硅片 第3章 外延 3.1 概述 分类，特点，用途 3.2 气相外延 3.3 分子束外延 3.4 其它外延 3.5 外延层缺陷及检测 第4章 氧化 4.1 SiO2薄膜概述 4.2 硅的热氧化 （开始翻转课堂，自中国大学MOOC网在线学习） 4.3 初始氧化阶段及薄氧化层制备 4.4 热氧化过程中杂质的再分布 4.5 氧化层的质量及检测 1-16 16-30 30-43 43-57 59-72 72-87 20 年秋季学期教学日历 序号 授课 日期 授课学时 授课方式 授课内容 教材 页数 6 7 8 10、9 10、16 10、23 2 2 2 讨论 讨论 讨论 4.6 其他氧化方法 对第4章重点内容进行讨论、答疑，以及例题解答， 给出第5章学习要点，提出问题 第5章 扩散，内容： 5.1 扩散机构 5.2 晶体中扩散的基本特点与宏观动力学方程 5.3 杂质的扩散掺杂 5.4 热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素 5.5 扩散工艺条件与方法 5.6 扩散工艺质量与检验 5.7 扩散工艺的发展 对第5章重点内容进行讨论、答疑，以及例题解答， 给出第6章学习要点，提出问题。 第6章 离子注入，内容 6.1 概述 6.2 离子注入原理 6.3 注入离子在靶中的分布 6.4 注入损伤 6.5 退火 6.6 离子注入设备与工艺 6.7 离子注入的其他应用 6.8 离子注入与热扩散比较及掺杂新技 对第6章重点内容进行讨论、答疑，以及例题解答， 给出第7章学习要点，提出问题。 第7章 化学汽相淀积，内容： 7.1 CVD概述 7.2 CVD工艺原理 7.3 CVD工艺方法 7.4 二氧化硅薄膜的淀积 88-112 113-147 148-182 20 年秋学期教学日历 序号 授课 日期 授课学时 授课方式 授课内容 教材 页数 9 10 11 10、30 11、6 11、13 2 2 2 讨论 讨论 讨论 7.5 氮化硅薄膜淀积 7.6 多晶硅薄膜淀积 7.7 CVD金属及金属化合物薄膜 对第7章重点内容进行讨论、答疑，以及例题解答， 给出第8章学习要点，提出问题。 第8章 物理汽相淀积，内容： 8.1 PVD概述 8.2 真空系统及真空的获得 8.3 真空蒸镀 8.4 溅射 8.5 PVD金属及化合物薄膜 对第8章重点内容进行讨论、答疑，以及例题解答， 给出第9章和第10章部分学习要点，提出问题。 第9章 光刻，内容： 9.1 概述 9.2 光刻工艺流程 9.3 光刻技术中的常见问题 第10章 光刻技术，内容： 10.1光刻掩模板的制造 10.2光刻胶 对第9章和第10章部分重点内容进行讨论、答疑，以及例题解答，给出第10章余下部分和第11章学习要点，提出问题。 10.3 光刻分辨率增强技术 10.4 紫外光曝光技术 10.5 其他曝光技术 10.6 光刻设备 第11章 腐蚀技术 11.1 概述 183-209 211-237 237-276 20 年秋季学期教学日历 序号 授课日期 授课学时 授课方式 授课内容 教材页数 12 13 11、20 11、27 2 2 讨论 答疑 11.2 湿法腐蚀 11.3 干法刻蚀 11.4 刻蚀技术新进展 对第