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本发明提供一种全无机CsPbI3钙钛矿薄膜的制备方法及其应用，属于钙钛矿太阳能电池领域。本发明制备方法采用真空蒸镀的方式，通过设定两种蒸发源的蒸发速率，沉积薄膜，再通过两步退火处理制备具有较高薄膜质量的全无机薄膜，制备过程中避免了任何有机离子的引入，确保了最终的CsPbI3薄膜组分为纯无机的；且碘化铅和碘化铯的沉积速率比在1∶1～1∶1.4范围内，不需要严格控制化学计量比，沉积速率窗口宽，操作简单可控，重复性高，有利于工业化的大规模生产。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113192821 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 202110425058.0
(22)申请日 2021.04.20
(71)申请人 电子科技大学
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