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本发明涉及一种基于Fano共振的自脉冲和连续输出型硅基集成半导体激光器及其制备方法，激光器包括衬底及设置在衬底上自左向右依次设置的布拉格反射镜、第一锥形波导、III‑V族多量子阱有源区、第二锥形波导和Fano反射镜；Fano反射镜包括直波导和微环波导；微环波导上覆盖石墨烯形成饱和吸收；通过在微环波导与直波导耦合区设计部分透过单元，产生Fano共振，实现在1550nm光通信C波段的自脉冲和连续两种工作模式，能够适用多重应用场景；连续输出下中心波长在1550nm，单模特性良好；自脉冲模式下，随着电流
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113193477 B
(45)授权公告日 2022.04.22
(21)申请号 202110480999.4 H01S 5/20 (2006.01)
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