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符合产业化生产的高厚度低缺陷六英寸碳化硅晶体生长方法.pdfVIP

符合产业化生产的高厚度低缺陷六英寸碳化硅晶体生长方法.pdf

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    本发明涉一种符合产业化生产的高厚度低缺陷六英寸碳化硅晶体生长方法，针对产业化大规模进行六英寸碳化硅晶体生长过程中极易产生的各种缺陷：如晶型突变，位错增加、晶体有效产出低（厚度不足）等特性，提出新的适合产业化大规模晶体生长工艺方法，在同等的生长周期和等同的投料量的前提下不但保证晶体的有效产出且能有效保证晶体的质量合格。主要包括：一次升温、一次降压，二次升温及二次降压、三次升温、热场移动、恒温升压、一次降温、二次降温、末次抽换气等步骤。通过本工艺可实现单炉次产出六英寸碳化硅晶体厚度≥25mm，并且有

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113174631 A (43)申请公布日 2021.07.27 (21)申请号 20201

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