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一种在基板上形成低温硅化物膜的方法，将原料气体供应到团簇形成室以形成气体团簇；将气体团簇移至电离加速室以形成气体团簇离子束GCIB；将GCIB注入处理室中，该处理室容纳基板；通过注入装置将前驱物气体注入到处理室中，其中注入装置以使得前驱物气体到达基板的局部区域的方式定位在处理室的顶部上；和通过在前驱物气体存在下用GCIB轰击基板，在基板上形成硅化物膜；将所述GCIB注入所述处理室是通过位于所述电离加速室与所述处理室之间的孔执行的，以形成准直的GCIB。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113186512 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 202110447250.X C23C 16/02 (2006.01)
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