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2023-06-15 发布于四川
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本发明涉及一种隧穿场效应晶体管及其制备方法、一种半导体器件，隧穿场效应晶体管包括：衬底；纳米片堆栈部，其设置在所述衬底上，形成多个导电沟道；纳米片堆栈部包括：纳米片形成的叠层及位于相邻纳米片之间的支撑结构，支撑结构是第一半导体形成的，纳米片是第二半导体形成的；所述第一半导体支撑结构的宽度小于第二半导体纳米片的宽度；环绕式栅极，其环绕于纳米堆栈部周围；所述环绕式栅极包括铁电层。隧穿场效应晶体管可以显著降低器件的亚阈值摆幅；同时多层堆叠的纳米片结构可以增加隧穿场效应晶体管的工作电流和栅控性能；具有支

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113178490 A (43)申请公布日 2021.07.27 (21)申请号 202110232821.8 (22)申请日 2021.03.03 (71)申请人中国科学院微电子研究所

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