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本发明公开了高密度集成电路封装领域的一种陶瓷基双面RDL3D封装方法及结构，包括具有多层布线结构的陶瓷基板，所述陶瓷基板内部通过厚膜TCV通孔实现电气垂直互连；所述陶瓷基板的正面制备有正面多层薄膜RDL层，正面多层薄膜RDL层上安装电子器件，且陶瓷基板的正面采用气密性结构封装；所述陶瓷基板的背面开设至少一个腔体，腔体的内部还设有电子器件；所述腔体内部以及陶瓷基板的背面形成有固化的介质层，所述介质层上制备有背面多层薄膜RDL层。本发明将有源芯片和无源器件等电子器件集成在封装结构上，不通过2.5D
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113178440 A
(43)申请公布日 2021.07.27
(21)申请号 202110332605.0 H01L 23/488 (2006.01)
(22)申请日
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