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半导体器件及方法.pdfVIP

半导体器件及方法.pdf

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    本公开涉及半导体器件及方法。一种方法包括：形成从衬底延伸的鳍；沿鳍的相对侧壁形成第一隔离区域；在鳍之上形成栅极结构；在鳍中与栅极结构相邻地形成外延源极/漏极区域；在外延源极/漏极区域之上和栅极结构之上形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层之上形成保护层，该保护层包括氮氧化硅；以及在保护层之上形成第二隔离材料，其中形成第二隔离材料降低了保护层的氮浓度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113206043 A (43)申请公布日 2021.08.03 (21)申请号 202011204985.1 (22)申请日 2020.11.02 (30)优先权数据 62/968,45

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