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集成芯片及其制造方法.pdfVIP

集成芯片及其制造方法.pdf

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    本揭露实施例是有关于一种集成芯片及其制造方法。本公开的各种实施例涉及一种集成芯片，所述集成芯片包括：第一未掺杂层，上覆在衬底上。第一障壁层上覆在第一未掺杂层上且具有第一厚度。第一掺杂层上覆在第一障壁层上且于侧向上设置在衬底的n沟道器件区内。第二障壁层上覆在第一障壁层上且设置在于侧向上与n沟道器件区相邻的p沟道器件区内。第二障壁层具有比第一厚度大的第二厚度。第二未掺杂层上覆在第二障壁层上。第二掺杂层上覆在第二未掺杂层上。第二未掺杂层及第二掺杂层设置在p沟道器件区内。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113206078 A (43)申请公布日 2021.08.03 (21)申请号 202011221205.4 (22)申请日 2020.11.05 (30)优先权数据

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