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本发明公开了一种用于功率半导体PN结保护的工艺方法，涉及功率半导体器件领域。本发明采用聚酰亚胺保护PN结，包括步骤：使用多功能薄膜磁控溅射系统进行PN结表面均匀性保护涂覆；芯片N材表面进行腐蚀沟槽；去离子水超声工序，将表面清洗干净；然后进行聚酰亚胺液的固化工艺；对PN结另一表面，使用另外相同的设备连续性地进行重复步骤S01‑S04的稳定性处理；固化后清洗；将经上述处理工艺的硅片进行焊接面镀钛、镍、银，然后进行烘干处理；晶圆的划片。本发明具有高温特性和超高的耐压特性来实现保护半导体结，材料分子结构
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113192853 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 202110545022.6
(22)申请日 2021.05.19
(71)申请人 上海音特电子有限公司
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