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一种用于功率半导体PN结保护的工艺方法.pdf

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本发明公开了一种用于功率半导体PN结保护的工艺方法,涉及功率半导体器件领域。本发明采用聚酰亚胺保护PN结,包括步骤:使用多功能薄膜磁控溅射系统进行PN结表面均匀性保护涂覆;芯片N材表面进行腐蚀沟槽;去离子水超声工序,将表面清洗干净;然后进行聚酰亚胺液的固化工艺;对PN结另一表面,使用另外相同的设备连续性地进行重复步骤S01‑S04的稳定性处理;固化后清洗;将经上述处理工艺的硅片进行焊接面镀钛、镍、银,然后进行烘干处理;晶圆的划片。本发明具有高温特性和超高的耐压特性来实现保护半导体结,材料分子结构

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113192853 A (43)申请公布日 2021.07.30 (21)申请号 202110545022.6 (22)申请日 2021.05.19 (71)申请人 上海音特电子有限公司

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