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半导体器件及其制造方法.pdfVIP

半导体器件及其制造方法.pdf

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    一种制造半导体器件的方法包括在衬底上方形成鳍结构，该鳍结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层。在鳍结构上方形成牺牲栅极结构。在牺牲栅极结构的任一侧上形成间隔件。去除牺牲栅极结构以在间隔件之间形成沟槽。从沟槽去除第一半导体层，而留下悬置于沟槽中的第二半导体层。在沟槽中的间隔件的侧壁上形成自组装单层。分别环绕悬置的第二半导体层形成界面层。在界面层上以比在自组装单层上更快的沉积速率沉积高k介电层。在高k介电层上方形成金属栅极结构。本发明的实施例还涉及半导体器件。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113178390 A (43)申请公布日 2021.07.27 (21)申请号 202110348508.0 (22)申请日 2021.03.31 (30)优先权数据

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