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本发明公开了一种高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片的制作工艺，包括以下步骤：在单晶硅片上生长一层氧化层，在芯片边缘进行对通隔离扩散，再进行背面阳极区及正面短基区P扩散；在正面短基区P上进行磷扩散；在正面进行局部腐蚀，形成深沟槽；在正面门极与阴极交界处附近进行腐蚀，形成浅沟槽；在表面及沟槽内沉积一层SIPOS，作为PN结最底层的钝化层；在沟槽内、SIPOS上填充一层玻璃层作为最终的保护钝化层；通过LPCVD方法在表面生长一层氧化层作为引线孔光刻的过渡层；在正面、背面光刻出引线窗口，同时在边缘开出划
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113161238 A
(43)申请公布日 2021.07.23
(21)申请号 202110423467.7
(22)申请日 2021.04.20
(71)申请人 江苏韦达半导体有限公司
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