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在衬底上方形成源极层级牺牲层以及绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠。通过该交替堆叠形成存储器开口,并且通过移除该源极层级牺牲层来形成源极腔体。通过适形沉积工艺来形成存储器膜,并且在该源极腔体中形成源极接触层。在该源极接触层的侧壁上的该存储器开口的剩余体积中形成竖直半导体沟道区和漏极区。通过该交替堆叠并直接在该源极接触层的侧壁上形成背侧接触通孔结构。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113196482 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 201980082420.X (74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理
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