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新型沟槽IGBT半导体器件及其制备方法.pdfVIP

新型沟槽IGBT半导体器件及其制备方法.pdf

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    本发明提供了一种新型沟槽IGBT半导体器件及其制备方法，包括衬底，以及在所述衬底上依次外延形成的基区、阱区、源区，并且在所述基区和所述阱区中还设有多个真沟槽栅单元，以及设置于相邻所述真沟槽栅单元之间的假沟槽栅单元，其中，每个所述真沟槽栅单元两侧分别设有源区，并且在每个所述真沟槽栅单元和每个所述假沟槽栅单元底部还设有底部掺杂区。本发明能够实现局部超结结构以提高击穿电压，并能够实现结构厚度的降低以减小压降，从而能够减小电容面积和密勒电容，保证器件的性能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113193044 A (43)申请公布日 2021.07.30 (21)申请号 202110565892.X (22)申请日 2021.05.24 (71)申请人 江苏

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