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2023-06-15 发布于四川
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非易失存储器编程方法.pdf

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本发明公开了一种非易失存储器编程方法，其对于高可靠性要求存储器进行高可靠性编程，高可靠性编程包括以下步骤：一.对存储器的待编程存储单元的进行标准擦除，使各存储单元变为擦除状态1；二.将编程数据采用1位数据对应2位差分编码数据的编码方式变为编码数据后，再对存储器的待编程存储单元进行标准编程，编程数据中的数据1对应一对差分编码数据10，编程数据中的数据0对应一对差分编码数据01，每对差分编码数据对应一对存储单元。该非易失存储器编程方法，可以增加读出电路的读出裕量，能提高高可靠性要求存储器产品存储编程

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113160870 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 202110319185.2 (22)申请日 2021.03.25 (71)申请人普冉半导体（上海）股份有限公司

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