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本发明属于新型纳米材料制备技术领域，公开了一种基于F‑PDA分子印迹比率荧光传感器的制备方法及其应用。本发明通过简单方法制备有机荧光纳米材料F‑PDA，其次通过反相微乳法制备碲化镉量子点包硅，最后通过沉淀聚合的方法制备得到F‑PDA分子印迹比率荧光传感器，建立了一种操作简单、绿色低廉的合成方法。此外，将F‑PDA作为荧光功能单体参与聚合，加快了目标物的响应时间，制备的F‑PDA分子印迹比率荧光传感器具有制备方法简单、成本低、稳定性强和光学性能良好等一系列优点，并且可以用于高灵敏、高选择性识别与检
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113185979 B
(45)授权公告日 2022.04.26
(21)申请号 202110434395.6 C08F 292/00 (2006.01)
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