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本发明提供了一种氮化镓基器件及其制造方法,能通过掺杂离子破坏缓冲层的晶格,以有效提高缓冲层的电阻率,进而有利于减小关态漏电,提高缓冲层耐压。同时,由于高阻缓冲层的表层(即表面薄层)晶格损伤被修复而形成晶格损伤修复层,因此在高阻缓冲层上方外延生长氮化镓基沟道层、势垒层等有源层时,可以利用晶格损伤修复层来避免晶格缺陷随着这些有源层的生长而往上延伸,进而可以降低这些有源层中的晶格缺陷,提高这些有源层的膜层质量,最终提高了器件性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113178389 A
(43)申请公布日 2021.07.27
(21)申请号 202110731259.3
(22)申请日 2021.06.30
(71)申请人 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
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