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本发明提供一种柔性类CMOS反相器及其制备方法，该方法包括：提供柔性基底；在所述柔性基底上形成保护层；在所述保护层上制备栅电极；在所述保护层和所述栅电极上沉积介电层；在所述介电层上形成第一沟道层，所述第一沟道层的材料为无机材料；在所述第一沟道层上制备源电极和漏电极；在所述第一沟道层、所述源电极和所述漏电极上形成第二沟道层，所述第二沟道层的材料为有机材料；其中，所述栅电极、所述介电层、所述第一沟道层、所述源电极和所述漏电极通过光刻进行图案化。本发明在柔性基底上结合有机与无机材料来制备柔性类CMOS
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113193001 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 202110448428.2
(22)申请日 2021.04.25
(71)申请人 国家纳米科学中心
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